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集成電路襯底硅片的超聲波清洗工藝
科力超聲-提供全方位的工業(yè)超聲清洗技術

①超聲波清洗劑清洗：將1號槽中 放人清洗劑并加入5-10倍去離子水，將硅片裝入花籃中，超聲波常溫浸泡清洗 5-10min

②超聲波清洗劑清洗：將2號槽中 放人清洗劑并加入5-10倍去離子水加熱到50?60°C，將硅片花籃從第一槽中取出，放入第二槽， 進行超聲清洗5-10min

③超聲波DI水漂洗： 將DI水放入第三槽（第四槽溢流至第三槽），加熱到50? 60°C，將硅片花籃從第二槽中取出，放入 第三槽，進行超聲DI水漂洗5-10min

④超聲波DI水漂洗：將DI水注入第四槽，加熱到 50?60°C，將硅片花籃從第三槽中取出， 放人第四槽，進行超聲DI水漂洗5-10min

⑤噴淋清洗: 用溫度為50?60°C的DI水對硅片進行噴淋清洗，時間為2?5min;

⑥烘干：用熱風或 紅外進行烘干，時間為3?5min。

超聲波清洗機特點此超聲波清洗工藝能夠克服刷片清洗 和RCA清洗自身難以克服的缺點，達到 較好的清洗效果；工藝簡單，操作方便； 滿足環(huán)保要求。主要用途適用于各種集成電路清洗、 電子設備清洗及電子儀器清洗等。安全性一般對各種晶集成電路及半導 體清洗等均無腐蝕，不含氟利昂和氫氯氟 烴類物質，不易燃，揮發(fā)速率極快，不留 任何殘渣；安全、環(huán)保。

超音波清洗根據使用頻率的不同，清洗的機理和用途也不同。一般來說，在低頻中容易發(fā)生被稱為氣蝕現(xiàn)象(Cavitation)的現(xiàn)象，利用氣泡破裂時的沖擊波可以進行強力的清洗。另一方面，在高頻中，液體分子的加速度運動的影響很大，可以進行比較平穩(wěn)的清洗。

清洗力和對工作(被洗凈物)的傷害是折中的關系，根據洗凈對象的【臟污】的種類和工作的強度來選擇適當?shù)念l率是很重要的。